Infineon изготовила работающие SiC-чипы на 300-мм пластинах

Компания использовала существующее оборудование для кремниевых чипов на заводе в Австрии. Переход к массовому выпуску ещё предстоит: сроки согласуют с заказчиками и партнёрами.

Немецкий производитель полупроводников Infineon 9 ноября 2026 года сообщил об изготовлении работоспособных силовых приборов на пластинах карбида кремния (SiC) диаметром 300 мм. По заявлению компании, она первой получила такой результат в условиях полноценной полупроводниковой фабрики.

Работы выполнили на предприятии в австрийском Филлахе, используя существующее оборудование для обработки кремния. По оценке Infineon, 300-мм пластина позволяет получать в 2,3 раза больше кристаллов, чем 200-мм.

О запуске массового производства речь пока не идёт. Сроки внедрения технологии и наращивания выпуска компания согласует с заказчиками и партнёрами. Параллельно продолжится развитие производства SiC на 200-мм пластинах.

В Дрездене Infineon также подтвердила применимость технологии Cold Split к 300-мм SiC. Она отделяет пластины от монокристалла быстрее традиционной проволочной резки и с меньшими потерями материала.

SiC-компоненты применяют в электромобилях, зарядных станциях, промышленных приводах и источниках бесперебойного питания. Компания также отмечает рост спроса со стороны центров обработки данных для ИИ — для твердотельных трансформаторов, выключателей и блоков питания.