Kepler Computing раскрыла технологию HBM и SRAM без EUV-литографии

Стартап Kepler Computing заявил, что трехмерная компоновка и новый сегнетоэлектрический материал позволят повысить плотность HBM и SRAM без дорогой EUV-литографии. Технологию предполагается внедрять на существующих фабриках, но до серийного выпуска она еще не дошла: первые образцы HBM компания планирует поставить до конца 2026 года.

Основанный в 2018 году американский стартап Kepler Computing вышел из скрытого режима и представил технологию производства памяти с высокой пропускной способностью (HBM) и статической памяти SRAM. Компания утверждает, что ее разработки позволяют повышать плотность памяти без экстремальной ультрафиолетовой литографии (EUV) и могут применяться на существующих полупроводниковых фабриках.

Для HBM стартап использует трехмерную компоновку, позволяющую разместить больше памяти на прежней площади и сократить расстояние между памятью и вычислительными блоками. Плотность SRAM компания повышает с помощью низковольтного композитного сегнетоэлектрического материала. По оценке самой Kepler, результат сопоставим с плотностью SRAM, изготовленной по нормам 2–3 нм, но не требует EUV-оборудования.

Испытания и опытное производство ведутся совместно с контрактным производителем GlobalFoundries в Сингапуре и американском штате Вермонт. Kepler сообщила, что обработала около 2000 полупроводниковых пластин. Первые образцы HBM намечены на конец 2026 года, расширение производства в Сингапуре — на 2027 год, а выпуск в США — на 2028 год.

Стартап привлек $468 млн от инвесторов, среди которых GlobalFoundries, Intel Capital, AMD Ventures, Baillie Gifford и фонд Gates Frontier. В июле 2026 года Министерство торговли США подписало письмо о намерениях предоставить Kepler до $245 млн на исследования и разработку памяти для систем искусственного интеллекта. Окончательное выделение средств зависит от дополнительной проверки и согласования.

Технологии еще предстоит доказать масштабируемость. Используемый Kepler материал содержит железо, которое может загрязнять производственные линии, поэтому для него потребуются выделенное оборудование либо надежная изоляция внутри технологического процесса.