Samsung раскрыла расчётные показатели zHBM: до восьми раз выше HBM5

Samsung Electronics на FMS 2026 представила новые оценки для концепции zHBM, в которой память размещается непосредственно над ИИ-ускорителем. Компания прогнозирует производительность примерно в восемь раз выше HBM5, однако пока не подкрепила показатели испытаниями готовых устройств.

Samsung Electronics на конференции Future of Memory and Storage 2026 представила обновлённую дорожную карту памяти и накопителей для систем искусственного интеллекта. Центральной разработкой стала zHBM — концепция памяти с высокой пропускной способностью, размещаемой непосредственно над вычислительным кристаллом ИИ-ускорителя, а не рядом с ним на общей подложке.

По расчётам Samsung, сокращение пути передачи данных позволит сделать zHBM примерно в восемь раз производительнее HBM5, более чем в десять раз увеличить плотность памяти и втрое повысить энергоэффективность. Тепловое сопротивление при этом может снизиться более чем на 50%. Компания подчёркивает, что речь идёт о проектных показателях архитектуры, а не о результатах испытаний серийных микросхем.

Samsung также показала прототип V10 Bonding V-NAND — вертикальной флеш-памяти с более чем 400 слоями. Массив ячеек и управляющие схемы в ней изготавливаются отдельно и затем соединяются; по оценке производителя, такая конструкция повышает плотность хранения примерно на 58% относительно V9 V-NAND.

Сроки коммерческого выпуска zHBM и новой V-NAND, их стоимость и параметры совместимости с ИИ-ускорителями пока не раскрыты.