Пэт Гелсингер сделал ставку на свободно-электронные лазеры для EUV-литографии

Бывший глава Intel и генеральный партнёр Playground Global Пэт Гелсингер считает новые источники света ключом к дальнейшему масштабированию микросхем по закону Мура. Стартап xLight, исполнительным председателем которого он является, разрабатывает лазер на свободных электронах для литографического оборудования.

Бывший генеральный директор Intel Пэт Гелсингер заявил в интервью WIRED, что дальнейшее масштабирование микросхем по закону Мура в первую очередь зависит от развития литографии. Современные системы экстремальной ультрафиолетовой (EUV) литографии ASML используют излучение с длиной волны 13,5 нм; по оценке Гелсингера, лазеры на свободных электронах в перспективе могут позволить перейти к длинам волн от 5 до 2 нм.

Гелсингер занимает должность исполнительного председателя xLight — портфельной компании Playground Global. По его словам, стартап не намерен конкурировать с ASML на рынке литографических установок: первоначальная задача заключается в подключении нового источника излучения к машинам ASML.

2 июня 2026 года Министерство торговли США и Национальный институт стандартов и технологий выделили xLight $150 млн по программе CHIPS для создания и демонстрации прототипа лазера на свободных электронах в комплексе Albany Nanotech в штате Нью-Йорк. Речь пока идёт о прототипе; сроки промышленного внедрения технологии не названы.