IBM совершенствует технологии изготовления РСМ-памяти

Специалистам исследовательского подразделения IBM в Цюрихе (Швейцария) удалось совершить прорыв в области разработки памяти с изменяемым фазовым состоянием (PCM).

PCM-память рассматривается в качестве потенциальной альтернативы широко распространённым флеш-накопителям. Принцип работы чипов РСМ основан на свойстве материала носителя находиться в двух стабильных фазовых состояниях. В одной из этих фаз вещество представляет собой непроводящий аморфный материал, а в другой — кристаллический проводник. Изменение фазового состояния сопровождается переключением между логическим нулём и единицей.

В существовавших до сих пор образцах PCM-памяти в каждой ячейке удавалось хранить только один бит информации. Специалисты IBM смогли преодолеть это ограничение: используя 90-нанометровую КМОП-технологию, они создали образец PCM-чипа, в котором на каждую ячейку приходится два бита информации. В перспективе учёные рассчитывают добиться записи трёх битов.

Достижение IBM делает возможным создание PCM-памяти высокой плотности. По сравнению с флеш-накопителями носители нового типа смогут обеспечить 100-кратный прирост производительности при количестве циклов перезаписи до 10 млн. Для сравнения: флеш-модули корпоративного класса выдерживают около 30 тыс. циклов перезаписи.

Подготовлено по материалам IBM.