Еврокомиссия одобрила €319 млн на выпуск GaN-чипов на 300-мм пластинах

Австрия предоставит Infineon €319 млн на модернизацию полупроводникового завода в Филлахе, общий объём инвестиций составит около €1,1 млрд. Компания намерена до конца 2027 года запустить первое в мире массовое производство силовых GaN-компонентов на 300-мм пластинах.

Европейская комиссия одобрила прямую государственную субсидию в размере €319 млн для модернизации предприятия немецкого производителя полупроводников Infineon Technologies в Филлахе, Австрия. Компания вложит в проект Empowering Fab около €1,1 млрд до 2034 года, а запуск производства запланирован на конец 2027 года.

Проект предусматривает переход от выпуска силовых компонентов на основе нитрида галлия (GaN) на пластинах диаметром 200 мм к 300-мм пластинам. Infineon называет будущую линию первым в мире предприятием массового производства 300-мм силовых GaN-полупроводников. На пластине большего диаметра помещается примерно в 2,3 раза больше чипов, что повышает производительность оборудования и позволяет снижать себестоимость.

GaN-компоненты обеспечивают высокую частоту переключения и меньшие потери энергии по сравнению с традиционными кремниевыми решениями. Они применяются в блоках питания серверов и центров обработки данных, электромобилях, робототехнике, энергетической инфраструктуре и потребительской электронике.

Условия субсидии предусматривают расширение сотрудничества Infineon с университетами, исследовательскими организациями, стартапами и малыми компаниями, включая доступ к лабораториям и аппаратно-программным комплектам. Австрия также получит долю возможной дополнительной прибыли проекта сверх согласованных прогнозов.