TSMC начнет применять High-NA EUV в массовом производстве в 2030 году

TSMC намерена с 2030 года использовать литографию High-NA EUV при массовом выпуске передовых чипов. Одновременно компания и ASML готовят переход на увеличенные фотошаблоны, которые должны повысить производительность оборудования и сократить затраты.

TSMC намерена с 2030 года использовать системы ASML High-NA EUV — литографию в экстремальном ультрафиолете с увеличенной числовой апертурой — при массовом производстве чипов по передовым техпроцессам. Конкретный техпроцесс компания в совместном сообщении с ASML не назвала.

Сначала TSMC будет применять существующие 6-дюймовые фотошаблоны. Параллельно компании создадут отраслевую инициативу по переходу на 12-дюймовые фотошаблоны: пилотную линию планируется запустить к 2031 году, а подготовить литографические системы к производству передовых чипов — к 2033 году. Увеличенный формат должен повысить производительность сканеров, снизить стоимость изготовления микросхем и уменьшить потребность в совмещении нескольких полей экспонирования.

Intel начала производственное применение технологии раньше. Компания сообщила, что использует High-NA EUV для отдельных слоев части процессоров Core Ultra Series 3, известных под кодовым названием Panther Lake. Заявленные Intel более миллиона обработанных пластин включают сертификацию и испытания оборудования, исследования и разработки, а также серийное производство.